Quasi-planar Gallium Arsenide heterojunction bipolar transistor device entirely grown by Chemical Beam Epitaxy

F. Alexandre D. Zerguine P. Launay J. L. Benchimol M. Berz B. Sermage Dimitri Komatitsch 1 M. Juhel
1 Magique 3D - Advanced 3D Numerical Modeling in Geophysics
LMAP - Laboratoire de Mathématiques et de leurs Applications [Pau], Inria Bordeaux - Sud-Ouest
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Article dans une revue
J. Crystal Growth, SSA, 1994, 136 (1-4), pp.235-240. 〈10.1016/0022-0248(94)90416-2〉
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Contributeur : Dimitri Komatitsch <>
Soumis le : samedi 11 février 2012 - 03:38:31
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:22:12

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F. Alexandre, D. Zerguine, P. Launay, J. L. Benchimol, M. Berz, et al.. Quasi-planar Gallium Arsenide heterojunction bipolar transistor device entirely grown by Chemical Beam Epitaxy. J. Crystal Growth, SSA, 1994, 136 (1-4), pp.235-240. 〈10.1016/0022-0248(94)90416-2〉. 〈hal-00669047〉

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