Quasi-planar Gallium Arsenide heterojunction bipolar transistor device entirely grown by Chemical Beam Epitaxy

F. Alexandre; D. Zerguine; P. Launay; J. L. Benchimol; M. Berz; B. Sermage; Dimitri Komatitsch; M. Juhel

doi:10.1016/0022-0248(94)90416-2

Article Dans Une Revue J. Crystal Growth Année : 1994

Quasi-planar Gallium Arsenide heterojunction bipolar transistor device entirely grown by Chemical Beam Epitaxy

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F. Alexandre

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D. Zerguine

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P. Launay

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Dimitri Komatitsch

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ORCID : 0000-0003-2309-8269
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Soumis le : samedi 11 février 2012-03:38:31

Dernière modification le : jeudi 9 mai 2019-09:40:04

Dates et versions

hal-00669047 , version 1 (11-02-2012)

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HAL Id : hal-00669047 , version 1
DOI : 10.1016/0022-0248(94)90416-2

Citer

F. Alexandre, D. Zerguine, P. Launay, J. L. Benchimol, M. Berz, et al.. Quasi-planar Gallium Arsenide heterojunction bipolar transistor device entirely grown by Chemical Beam Epitaxy. J. Crystal Growth, 1994, 136 (1-4), pp.235-240. ⟨10.1016/0022-0248(94)90416-2⟩. ⟨hal-00669047⟩

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