New insights into self-heating in double-gate transistors by solving Boltzmann transport equations

T. Thu Trang Nghiêm; Jérôme Saint-Martin; P. Dollfus

doi:10.1063/1.4893646

Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2014

New insights into self-heating in double-gate transistors by solving Boltzmann transport equations

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T. Thu Trang Nghiêm

Fonction : Auteur

Institut d'électronique fondamentale

Jérôme Saint-Martin

Fonction : Auteur
PersonId : 169522
IdHAL : jerome-saint-martin
ORCID : 0000-0002-6540-8416
IdRef : 094968608

Institut d'électronique fondamentale

CV

P. Dollfus

Fonction : Auteur
PersonId : 179026
IdHAL : philippe-dollfus
ORCID : 0000-0002-4613-7147
IdRef : 079732844

Institut d'électronique fondamentale

CV

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Fichier principal

1.4893646.pdf (2.32 Mo)

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https://hal.science/hal-01906713

Soumis le : mercredi 17 juillet 2019-16:41:05

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08

Dates et versions

hal-01906713 , version 1 (17-07-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-01906713 , version 1
DOI : 10.1063/1.4893646

Citer

T. Thu Trang Nghiêm, Jérôme Saint-Martin, P. Dollfus. New insights into self-heating in double-gate transistors by solving Boltzmann transport equations. Journal of Applied Physics, 2014, 116 (7), ⟨10.1063/1.4893646⟩. ⟨hal-01906713⟩

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