Aujourd'hui, nous vivons l'ère de la rapidité des applications technologiques dans différents domaines. Cette rapidité de développement est liée à l'efficacité et à la performance des composants élaborés. Les semi-conducteurs à large gap sont les plus adaptés aux applications de puissance et de haute température. C'est le cas du carbure de Silicium SiC qui possède plusieurs caractéristiques physiques très supérieures à celles du Silicium[5], caractéristiques qui lui ouvrent des champs d'applications inaccessibles à ce dernier. Le développement des technologies SiC est aujourd'hui limité par un certain nombre de verrous technologiques difficiles à dépasser ou à contourner. Dans cette article, on a présenté une méthode analytique pour étudier le comportement électrique I-V d'une diode à base de carbure de Silicium (SiC). L'examen de ses caractéristiques électriques I-V permet d'extraire les principales paramètres qui la caractérise, notamment, le courant de saturation, la résistance série et le coefficient d'idéalité. L'analyse du comportement thermique de la diode à basses et hautes températures a été présentée. Ce qui permet en effet, de déduire l'énergie d'activation des impuretés ionisées dopantes dans le diode SiC.