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Conference papers

Analyse des caractéristiques I-V des jonctions PN à base de SiC

Résumé : Aujourd'hui, nous vivons l'ère de la rapidité des applications technologiques dans différents domaines. Cette rapidité de développement est liée à l'efficacité et à la performance des composants élaborés. Les semi-conducteurs à large gap sont les plus adaptés aux applications de puissance et de haute température. C'est le cas du carbure de Silicium SiC qui possède plusieurs caractéristiques physiques très supérieures à celles du Silicium[5], caractéristiques qui lui ouvrent des champs d'applications inaccessibles à ce dernier. Le développement des technologies SiC est aujourd'hui limité par un certain nombre de verrous technologiques difficiles à dépasser ou à contourner. Dans cette article, on a présenté une méthode analytique pour étudier le comportement électrique I-V d'une diode à base de carbure de Silicium (SiC). L'examen de ses caractéristiques électriques I-V permet d'extraire les principales paramètres qui la caractérise, notamment, le courant de saturation, la résistance série et le coefficient d'idéalité. L'analyse du comportement thermique de la diode à basses et hautes températures a été présentée. Ce qui permet en effet, de déduire l'énergie d'activation des impuretés ionisées dopantes dans le diode SiC.
Document type :
Conference papers
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https://hal.inria.fr/inria-00000690
Contributor : Anne Jaigu Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Monday, November 14, 2005 - 4:48:53 PM
Last modification on : Monday, November 14, 2005 - 5:34:22 PM
Long-term archiving on: : Friday, April 2, 2010 - 7:12:05 PM

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Identifiers

  • HAL Id : inria-00000690, version 1

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Citation

Samia Rachedi, Keireddine Ghaffour. Analyse des caractéristiques I-V des jonctions PN à base de SiC. MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC, IRISA – IETR – LTSI, Nov 2005, Rennes, pp.122-126. ⟨inria-00000690⟩

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