Le travail présenté dans cette communication concerne la réalisation et la caractérisation électrique (courant-tension I/V) des diodes Schottky en polymère (P3OT) de type P. Les résultats obtenus montrent que les structures réalisés sont stables : après plusieurs passages I/V, les caractéristiques obtenues passent par la même courbe. Concernant le mécanisme de conduction de ces structures, nous avons montré qu'il peut être modélisé par celui des structures Schottky inorganique (Silicium) en régime direct : se manifeste le mécanisme de conduction par effet Thermoélectronique et Fowler-Nordheim. L'ensemble des résultats obtenus montre d'une part la faisabilité du processus technologique de réalisation des diodes Schottky en polymère, et d'autre part une contribution intéressante permettant une meilleure compréhension du mécanisme de conduction des polymères.