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Conference papers

Étude du pouvoir thermoélectrique de couches de polysilicium dopées N et P de 20 à 450 °C

Résumé : L'objectif de cette étude est de mettre au point des microthermocouples en polysilicium dopé dont le pouvoir thermoélectrique est pratiquement indépendant de la température de 20 à 450 °C. Cette caractéristique est indispensable pour réaliser des microcapteurs de flux thermique de sensibilité quasiconstante dans toute la gamme d'utilisation. Dans ce but des cellules thermoélectriques spécifiques ont été réalisées à partir de couches de polysilicium dopées N et P. Les dopants bore et arsenic ont été choisis car ils procurent des coefficients de température de signes opposés. Pour déterminer les valeurs idéales de dopage un système de mesure du pouvoir thermoélectrique en fonction de la température a été développé au laboratoire. Les caractéristiques des couches thermoélectriques réalisées sont présentées dans cet article.
Document type :
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https://hal.inria.fr/inria-00000730
Contributor : Elodie Foret <>
Submitted on : Tuesday, November 15, 2005 - 2:48:53 PM
Last modification on : Wednesday, April 7, 2021 - 10:32:03 AM
Long-term archiving on: : Friday, April 2, 2010 - 7:22:06 PM

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Identifiers

  • HAL Id : inria-00000730, version 1

Citation

Malika Aithammouda, Katir Ziouche, Mehdi Haffar, Pascale Godts, Didier Leclercq. Étude du pouvoir thermoélectrique de couches de polysilicium dopées N et P de 20 à 450 °C. MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC, IRISA – IETR – LTSI, Nov 2005, Rennes, pp.368-372. ⟨inria-00000730⟩

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