A. W. Van-herwaarden and P. M. Sarro, Thermal sensors based on the seebeck effect, Sensors and Actuators, vol.10, issue.3-4, pp.321-346, 1986.
DOI : 10.1016/0250-6874(86)80053-1

M. V. Arx and O. Paul, Test structures to measure the Seebeck coefficient of CMOS IC polysilicon, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, vol.10, issue.2, pp.201-208, 1997.
DOI : 10.1109/66.572069

A. F. Ioffe, Semi conductor thermoelements and thermoelctrics cooling, Infosearch, 1957.

M. Boutchich, Microcapteurs de rayonnement infrarouge en technologie silicium, Thèse de doctorat USTL, 2002.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00148731

S. Sakly, Etude et réalisation de microcapteurs radiatifs infrarouges en technologies couches minces à structure distribuée périodique, Thèse de doctorat USTL, 1998.

D. H. Stjohn, A. K. Dahle, M. A. Easton, J. E. Hutt, and N. L. Veldman, Solidification of Hypoeutectic Aluminium-Silicon Alloys, Materials forum, pp.137-152, 1999.

M. Boutchich, K. Ziouche, P. Godts, and D. Leclercq, Characterization of phosphorus and boron heavily doped LPCVD polysilicon films in the temperature range 293-373K, IEE Electronic Device Letter, vol.23, pp.3-139, 2002.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00148729